通过干燥液滴和高压釜方法制备碳化硅棒状结构
信息来源:本站 | 发布日期:
2018-11-07
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关键词:通过干燥液滴和高压釜方法制备碳化硅棒状结构
通过传统方法制备碳化硅涉及相当大的能量和经济成本,因此寻找合成的替代技术具有重要意义。碳纳米材料作为碳源被积极地研究以降低合成温度。通过干燥液滴和从短(1-500nm)碳纳米管和纳米(-7nm)无定形二氧化硅的胶体溶液中获得的结构的形态,元素组成和晶体结构的实验研究结果。
在某些初始组分的临界浓度下显示出棒状结构的形成;发现干燥液滴的动态条件决定了在室温下棒状结构的合成比在高压釜中在约180℃的温度下大2-3倍。样品的元素分析显示出高百分比的碳和硅原子。通过X射线衍射法揭示了棒状结构中多型4-HSiC相的存在。
基于数值计算,提供了短碳纳米管的活性带电中心的模型,其提供了Si-C,Si-O-C和C-Si-O-C共价键形成的可能性。干燥液滴法适用于以^小能耗快速(10-20分钟)局部合成少量棒状结构。高压釜允许长时间(几天)合成克数。与实际中广泛使用的方法相比,这两种方法都是低温的。
在某些初始组分的临界浓度下显示出棒状结构的形成;发现干燥液滴的动态条件决定了在室温下棒状结构的合成比在高压釜中在约180℃的温度下大2-3倍。样品的元素分析显示出高百分比的碳和硅原子。通过X射线衍射法揭示了棒状结构中多型4-HSiC相的存在。
基于数值计算,提供了短碳纳米管的活性带电中心的模型,其提供了Si-C,Si-O-C和C-Si-O-C共价键形成的可能性。干燥液滴法适用于以^小能耗快速(10-20分钟)局部合成少量棒状结构。高压釜允许长时间(几天)合成克数。与实际中广泛使用的方法相比,这两种方法都是低温的。
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